フラッシュメモリの書き込み回数に制限がある理由

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というわけで「絶縁体となる酸化膜をぶっこわしていく」というのが理由みたいなんやけど、やっぱりいまいちわからなかったり。半導体工学を少しならったはずなんになぁ。